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- TS8TUTE210T-I
UTE210T的散热效能优于一般固态硬盘，适合全天候高速运转的设备，避免机台过热导致数据储存异常。
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创见U.2 NVMe固态硬盘UTE210T以112层3D NAND闪存打造，搭载8通道控制器与PCIe Gen 4x4传输接口，并符合NVMe 1.4标准，带来前所未有的传输效能；内置DRAM快取，提供绝佳的随机访问速度，同时搭配抗硫化电阻，强化关键组件保护，抵御严苛的工业应用环境。UTE210T的散热效能优于一般固态硬盘，适合全天候高速运转的设备，避免机台过热导致数据储存异常。
U.2固态硬盘UTE210T具备断电保护(PLP)技术提升储存可靠性，当系统无预警断电时，内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM，确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存。UTE210T经过严格的厂内测试，具备类宽温特性(-20°C~75°C)，并可依据客户需求提供宽温规格（-40°C~85°C），在急遽温差变化下仍能稳定运作，展现高度可靠性，适合高效能运算(HPC)、数据中心、大数据分析、在线事务处理(OLTP)、高分辨率影像串流与人工智能等高负载应用。
固件特点
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硬件特点
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外观 |
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| 尺寸 | 100 mm x 69.85 mm x 7 mm (3.94" x 2.75" x 0.28") |
| 重量 | 60 g (2.11 oz) |
| 外观尺寸 |
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界面 |
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| 总线接口 |
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存储 |
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| 容量 |
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| Flash类型 |
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操作环境 |
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| 工作电压 |
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| 工作温度 |
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| 储存温度 | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| 湿度 | 5% ~ 95% |
| 耐冲击 |
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| 耐振动 (操作中) | 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
电量 |
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| 耗电量 (操作中) | 6.49 瓦 |
| 耗电量 (IDLE) | 1.0 瓦 |
效能 |
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| 连续读写速度(CrystalDiskMark) | 读取: 高达 7,400 MB/s 写入: 高达 6,600 MB/s |
| 4K随机读写速度(IOmeter) | 读取: 高达 630,000 IOPS 写入: 高达 460,000 IOPS |
| 平均故障间隔(MTBF) | 3,000,000 小时 |
| 写入兆位元组(TBW) | 高达 11,520 TBW |
| 每日全盘写入次数(DWPD) | 1.32 (3 年) |
| 备注 |
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保修 |
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| 安规认证 |
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| 保修 |
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| 保修政策 |
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| 硬盘容量 | 订货料号（-20°C ~ 75°C ) | 订货料号（ -40°C ~ 85°C ) |
| 512GB |
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| 1TB |
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| 2TB |
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| 4TB |
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| 8TB |
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*产品规格如有更改，恕不另行通知。图片显示可能与实际产品不同。总可访问容量因操作环境而异。由于工业应用的复杂性和多样性，Transcend无法保证100%兼容所有平台和所有场景。对于特殊应用和环境，强烈建议您事先联系Transcend进行澄清。
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